中国内存厂商在通用DRAM领域的快速追赶，让全球半导体巨头三星电子感到了前所未有的压力。近期，有消息传出，中国内存厂商长鑫存储（CXMT）已经成功在10纳米级DRAM工艺中采用了D1z（16纳米及以下）技术，并实现了量产。这一消息震惊了业界，三星电子更是迅速向中国派遣了调查团，意图深入了解中国半导体的追赶速度。

CXMT技术突飞猛进，三星实地探查究竟

在DRAM工艺领域，10纳米级的技术迭代依次为D1x→D1y→D1z，线路宽度逐步缩小，意味着在相同面积内可以集成更多的数据存储单元，从而提高存储密度、降低功耗。D1a、D1b、D1c等则被视为下一代工艺的代表。此前，CXMT主要以D1x（18纳米）、D1y（17纳米）水平生产产品，但如今D1z工艺的导入，标志着其技术差距正在迅速缩小。

值得一提的是，CXMT此前已经量产了下一代DRAM标准DDR5，这一成就本身就让业界为之震惊。尽管在性能方面与三星电子、SK海力士等韩国产品还存在一定差距，但CXMT在技术开发和量产上的速度却远远超出了业界的预期。CXMT正积极采用先进工艺，并预计未来会集中力量改进DDR5产品的性能。

业内人士纷纷表示担忧与期待

一位业内人士指出：“从CXMT的开发速度来看，未来其有可能在下一代工艺D1a、D1b、D1c的开发与应用上取得突破。这表明中国内存厂商已经不容小觑，它们正在以惊人的速度追赶国际领先企业。”

另一位业内人士则补充道：“面对CXMT的强势追赶，三星可能会对中国DDR5的分销及整体内存市场进行全面调查，以应对可能带来的挑战。”

中国内存厂商攻势猛烈，三星业绩受影响

中国内存厂商的攻势已经对三星电子的实际业绩造成了直接影响。三星电子在近期发布的2024年第四季度初步财报中显示，其全年营收和营业利润均有所下滑。特别是半导体（DS）部门的营业利润，相较于第三季度有所下降，这被认为与中国内存厂商在PC等通用DRAM领域实施的积极低价攻势密切相关。

面对不利局面，三星电子寻求解决方案

在多重不利因素叠加的情况下，三星电子将“超领先技术”作为应对挑战的解决方案，致力于扩大技术差距。同时，三星电子还决定重新设计被认为是制约第五代HBM3E量产的因素之一的10纳米第四代（D1a）DRAM。

然而，雪上加霜的是，三星电子的第六代10nm级DRAM开发进度延迟，预计完成时间从2024年年底推迟至2025年6月。这一延期意味着原计划于2025年下半年量产的第六代HBM4也面临不确定性。三星电子的一名员工表示：“为了提升下一代内存产品的良品率，我们需要重新审视D1c工艺乃至D1a的设计和基础，这已经成为公司内部持续讨论的话题。”

可以预见，随着长鑫存储等中国内存厂商的快速追赶，全球半导体市场的竞争将更加激烈。三星电子等国际领先企业将面临更大的挑战和压力，需要不断创新和进步以保持其领先地位。