前几天，根据国外媒体报道，俄罗斯公布自主开发EUV（极紫外光刻）光刻机的路线图。于是，有很多人说既然俄罗斯都可以自主研发EUV，号称“世界工厂”的我们没理由搞不定的；那国产光刻机进展如何，距离EUV光刻机又有多远呢？

根据业内大咖透露，国产浸没式DUV光刻机（28纳米工艺节点）整机已经完成，正在测试中。据说这消息是5月17某院士公开做报告时透露的，甚至谈到国产EUV光刻机也正在研发过程中。

再结合2024年9月工信部印发的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024 年版）》通知，在文件列表包含国产氟化氪光刻机（110nm），和氟化氩光刻机（65nm）的内容。具体通知如下：

从以上通知可知，国产氟化氩光刻机，其分辨率小于等于65纳米，套刻精度小于等于8纳米。这款光刻机已经达到了ArF光刻机的顶级水平，再进一步就是浸润式DUV光刻机（ArFi）了。

两个消息相互印证说明，国产浸润式DUV光刻机（ArFi）确实取得了重大突破；实际上ArF光刻机与浸润式DUV光刻机在光源和工作台方面相似，主要区别在于浸润式系统，即在晶圆上加入了一层水作为介质。

当然根据产品测试的基本流程：子系统测试，整机测试，产线测试。国产浸润式DUV光刻机在测试第二阶段——整机测试阶段；正常来说整个测试流程中产线测试需要的时间是最长的。因此，国产浸润式光刻机距离实际量产应用还有一段时间。

总结来说，目前国产光刻机进展情况是：验收的是65纳米工艺节点的DUV光刻机，现在公布测试的是浸没式DUV光刻机，在研的是EUV光刻机。

而根据ASML光刻机的发展路线，浸润式DUV光刻机之后，就是难度更大的EUV光刻机了，它采用13.5纳米的波长。也就是第6代光刻机，可以用于7nm以下芯片的制造。

因此，虽然新的一年国产半导体产业依然要面对美国的重重限制和打压，但无需悲观。只要中国打通了浸润式DUV光刻机，国产7nm量产就稳了；参照台积电此前的经验，使用的就是浸润式DUV生产5nm芯片，如此国产芯片在多重曝光技术的加持下预计也能将5nm做出来，那国产芯片先进制程“卡脖子”问题将彻底解决，也意味着所有的所谓芯片禁令都将失去效力，中国将在半导体制造领域取得重大突破；也将彻底激活国产半导体产业。