继今年4月推出V9 TLC NAND闪存之后，三星宣布首次量产其第9代V9 QLC V-NAND闪存，采用280层堆叠，一举超过了美光和长江存储的232层堆叠，成为目前业内量产的NAND中堆叠层数最高的闪存颗粒。
据三星介绍，V9 QLC V-NAND采用双层堆叠设计，利用从V9 TLC NAND生产中吸取的经验教训，V9 QLC比上一代的QLC NAND闪存，其密度高出约86%，利用设计模具技术和预测程序技术，三星称V9 QLC NAND的耐久度提高了约20%，数据传输速度则提高了60%。
并且，三星还进一步降低了V9 QLC V-NAND的功耗，据称，数据读取和写入的功耗分别降低了30%和50%。这意味着与上一代QLC V-NAND闪存相比，不仅密度更高、性能更好、寿命更高，功耗还反而降低了，尤其是数据读写时的功耗。
综合其他信息，据称，三星的V9 QLC V-NAND的最大传输速率为3.2Gbps，相比其他QLC的2.4Gbps，速率高出约30%。
从上述信息来看，三星V9 QLC V-NAND无疑又将成为SSD市场的一枚“重磅炸弹”。因为三星不仅能制造目前市场上容量最高的SSD，并且在相同容量水平下，三星QLC SSD的售价可能便宜50%以上。尤其是现在市场上还未“退烧”的AI狂潮，不仅导致GPU等AI加速器涨价，连带着SSD、HDD的价格都不断上涨。而三星此时宣布量产V9 QLC V-NAND闪存，对于其竞争对手而言，无疑是降维打击。
