分子束外延系统（MBE）OCTOPLUS 500 EBV MBE系统是为了在4英寸Si衬底上生长高质量的Si/SiGe材料而研发的。也可以升级为6英寸的样品。腔体也可以装载2个电子束蒸发和8个束流源或者装载气体喷出，或者表面处理。

腔体尺寸： 550 mm ID，液氮冷屏（兼容水冷）

本底真空： < 5 × 10^-11 mbar

样品尺寸： 最大4 英寸，向下兼容小尺寸样品

加 热 器： SiC，W等多种类型可选，最高温度达1500 ℃

源炉法兰： 8 × DN63CF，2 × DN250CF

应用领域： SiGe，金属，氧化物，二维材料，拓扑超导材料等

● 装有束流源和电子束蒸发源的SiGe及其他材料的MBE系统

● 理想的Si/SiGe外延生长或者金属沉积

● 基片可以是3，4或者6英寸

● 2个大容量的电子枪源孔

● 8个束流源或者气体源孔

● 原位表征能力

● 易于使用和维护

● 洁净室装配和测试

● 强大的MBE博士专家支持团队

电子枪产生的电子束流可以通过四级质量谱仪检测。样品台选用热解石墨加热或者钨、钽加热丝。OCTOPLUS 500 EBV MBE系统是公认的非常适合于金属、磁性材料、氧化物、拓扑绝缘材料及Si/SiGe异质结构材料生长应用研发与生产。

标准的OCTOPLUS 500 EBV MBE有10个呈放射状分布的源孔，我们建议8个源孔用于束流源、升华源或者相关组件。2个DN250CF大的源孔用于电子束蒸发枪，电子束蒸发也可以是多孔的电子枪-EBVM。快速抽真空进样室配有水平磁力杆传输系统，可以在不破坏MBE腔室真空的前提下，简便地进行样品传输。可以配备RHEED系统原位监测薄膜生长状况。

分子束外延系统（MBE）、 脉冲激光沉积系统（PLD)、 反射式高能电子衍射仪（RHEED)、蒸发源、 离子源‍、电子枪