FRAM（铁电随机存取存储器）和MRAM（磁性随机存取存储器）是两种不同类型的存储器，它们具有不同的特点，具体如下：

- 特点：

- FRAM：

- 非易失性：掉电后数据能保存10年，所有产品都是工业级；

- 擦写次数多：5V 供电的 FRAM 的擦写次数 100 亿次，低电压的 FRAM 的擦写次数为 1 亿亿次；

- 速度快：串口总线的 FRAM 的 CLK 的频率高达 20M，并且没有 10MS 的写的等待周期，并行口的访问速度 70NS；

- 功耗低：静态电流小于 10UA，读写电流小于 150UA。

- MRAM：

- 非易失性：铁磁体的磁性不会由于断电而消失，故 MRAM 具备非易失性；

- 读写次数无限：铁磁体的磁性不仅断电不会消失，而是几乎可以认为永不消失，故 MRAM 和 DRAM 一样可以无限次重写；

- 写入速度快、功耗低：MRAM 的写入时间可低至 2.3ns，并且功耗极低，可实现瞬间开关机并能延长便携机的电池使用时间；

- 和逻辑芯片整合度高：MRAM 的单元可以方便地嵌入到逻辑电路芯片中，只需在后端的金属化过程增加一两步需要光刻掩模版的工艺即可。再加上 MRAM 单元可以完全制作在芯片的金属层中，甚至可以实现 2~3 层单元叠放，故具备在逻辑电路上构造大规模内存阵列的潜力。

- 区别：

- 工作原理：FRAM 利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储，而 MRAM 则是使用具有铁磁性材料的磁性“状态”的 1 晶体管–1 磁性隧道结（1T-1MTJ）体系结构作为数据存储元素。

- 性能优势实现方式：FRAM 通过使用特殊的铁电晶体材料和电场控制来实现高速读写、超低功耗和无限次写入等特性。而 MRAM 则通过利用磁性状态的变化和磁场控制来实现高性能、长寿命和非易失性等特点。

- 耐用性和数据保留：FRAM 具有非常长的耐用性和数据保留时间，写入次数寿命高达 10 万亿次。而 MRAM 的耐用性也很长，并且可以无限次重写，但具体的耐用性可能会因产品型号和制造商而有所不同。

- 应用领域：FRAM 在需要频繁写入数据、低功耗和高耐久性的应用中表现出色，如工业自动化、汽车电子、医疗设备等。MRAM 则在需要高速读写、低功耗和非易失性的应用中具有优势，如移动设备、固态硬盘、航空航天等。