FRAM（Ferroelectric Random Access Memory，铁电随机存取存储器）和 MRAM（Magnetic Random Access Memory，磁阻随机存取存储器）的主要区别在于它们的存储原理和特性。

1. 存储原理：

- FRAM 利用铁电材料的极化特性来存储数据。

- MRAM 则利用磁性材料的磁阻变化来存储数据。

2. 读写速度：

- MRAM 的读写速度通常比 FRAM 更快。

3. 耐用性：

- FRAM 存在疲劳现象，随着读写次数的增加，性能可能会下降。

- MRAM 具有较好的耐用性，可支持更多的读写次数。

4. 数据保持：

- MRAM 具有非易失性，数据可以在断电后长期保持。

- FRAM 的数据保持能力也较好，但可能不如 MRAM。

5. 应用场景：

- FRAM 常用于对读写速度要求较高、但对数据保持时间要求不太高的场景，如一些工业控制和消费电子设备。

- MRAM 则适用于对读写速度、耐用性和数据保持都有较高要求的应用，如高端计算、数据中心和汽车电子等领域。

6. 成本：

- 目前，FRAM 的成本相对较低。

- MRAM 的成本相对较高，但随着技术的发展和产量的增加，成本有望降低。

总的来说，FRAM 和 MRAM 各有其优势和使用场景。在选择时，需要根据具体的应用需求来综合考虑它们的性能、成本和可靠性等因素。