加码功率控制，维安VDMOSFET重磅来袭

VDMOSFET全称垂直型双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,VDMOSFET），具有高输入阻抗，开关速度快，热稳定性好等优点，同时具有正温度系数和良好的电流自调节能力，被广泛应用于适配器、LED驱动电源、TV电源、工业控制、电机调速、音频放大、高频振荡器、不间断电源、节能灯、逆变器等各个领域。

在VDMOSFET的设计中，维安重点优化耐压和导通电阻的矛盾，提高耐压并兼顾低导通电阻；同时降低Qg及开关损耗。维安VDMOSFET通过优化设计提高雪崩耐量、拓宽安全工作区进而提高通用性和耐用性。针对工业控制等高可靠应用场景，维安开发高质量的氮化硅钝化层工艺，显著提高器件的可靠性。

VDMOSFET结构示意图

VDMOS 因为芯片较大，雪崩能力、ESD 能力会更突出，EMI 特性更好，且器件最高耐压能做到 1700V，适用于不追求功率密度，并对系统成本很敏感的应用场景，比如LED 电源，TV 电源，充电器适配器，工业辅助电源等。

不同结构 MOSFET 特性及电压范围

维安VDMOSFET应用特性测试

（一）针对LED电源行业的高浪涌抗扰性要求，无电解电容电路特点，对维安650V VDMOFET进行测试，可满足IEC61000-4-5，±4KV 1.2/50us的测试标准。

单级PFC LED电源浪涌保护电路及4KV浪涌测测试波形

（黄色Vgs，绿色Vds，蓝色Id）

（二）ESD特性也能同时满足HBM≥2KV，CDM≥1KV，MM≥200V。

800V VDMOSFET-ESD第三方测试报告

（三）1500V 3A TO-247封装 VDMOFET WMJ3N150D1与国外竞品的对比热阻特性。同条件下，维安VDMOSFET RthJ-C=0.94K/W ，竞品RthJ-C=1.12K/W，小16%。

WMJ3N150D1与竞品的热阻测试值（双界面法）

维安500V-1500V VDMOSFET产品系列

依托维安成熟的电源及工业控制客户群，维安开发了500V-1500V的VDMOSFET产品，电流涵盖2A~40A，封装涵盖TO-251，TO-252，TO-262，TO-220/F，TO-247，TO-3PF；产品按工业要求完成可靠性测试，100% EAS测试。

功率半导体作为电力系统的重要组成部分，是提升能源效率的决定性因素之一。未来维安会结合客户应用开发更多的VDMOFET新规格、新封装；比如高压800V,1A等规格。为客户提供更多选择，以在高性能效率转换、高可靠应用场合实现效率、功率密度和可靠性的最佳组合。

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