在intel官网上，12代和13代 CPU的光刻参数标注的都是intel7，乍一看会让人以为采用的7nm制造工艺。而使用CPU-Z等软件验证后发现，实际制造工艺却是10nm。intel作为处理器界龙头，本应不必要玩这种文字游戏，是什么原因让intel这么做呢？
intel官网：13代酷睿的光刻参数intel7 工艺原名是 10nm Enhanced Super Fin，简称为10ESF，本质核心就是10nm。而真正的10 nm制程的全称为 10nm Super Fin，相比较来说，多了一个Enhanced ，翻译过来就是提高、增强。也就是说，intel7 是基于10nm工艺上做了增强的，整体制造工艺不输于或接近7nm工艺。
CPU-Z显示：i5-13600K的工艺为10nm本来intel可以一直低调做事，但是对手却不讲武德。以三星和台积电为首，不断改名的同时还严重虚标工艺，直接导致的结果就是 intel 10nm的晶体管实际密度比台积电的7nm都要高，甚至台积电的7nm比三星的还要高，就很离谱。
intel 10nm工艺与其他7nm比较大家都知道的是：制造工艺上，数字越小越能展示先进的工艺水平。面对三星和台积电的搞怪，intel尽管每代技术指标都是最强的，但若继续宣称10 nm就会给人一种落后的感觉，对产品的宣传很不利。
针对该现象，此前网友就有建议intel把10nm改为7nm，毕竟指标确实达到甚至超过了台积电7nm的标准。于是intel便顺势改名为intel7，言外之意就是告诉大众：intel7不输给台积电的7nm工艺，但自己又不完全承认是7nm，和他们一起玩起了文字游戏。
根据intel计划，未来的7nm制程将会改名为intel4，此后便会是intel3、intel20A以及intel18A，相对上一代每瓦效能都有15%~20%的提升。
所以，intel别样命名的锅，还得对手来背。而在作假宣传这一块，台积电也算是学习者，在移动通讯端，AT&T(美国电信公司、第二大移动运营商)把3G标识位4G，把4G LTE-A 谎称为5Ge，自己信不信无所谓，大众相信目的就达到了。你怎么看这些乱象？
