上期我们讲了关于功率循环试验（PC），本期我们来聊聊关于高温反偏试验。
高温反偏试验，简称HTRB，是High Temperature Reverse Bias Test的缩写，是指在高温下加上反向偏压的形式，通过高温下的漏电流增加，随着时间的推移，来判断器件是否失效，从而确定此器件的可靠性。适用的产品包括但不仅限于 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，GaN、IGBT等器件的测试。
IBGT如上定义我们可以看出，HTRB的测试主要分为高温环境以及反向电压以及测试时长的这三部分组成，下面我们分别说下这三个部分的要求：
1. 温度
温度方面，需要跟进实际测试器件的材料以及测试标准来定，例如肖特基芯片的环境温度可能会用100℃，玻璃钝化芯片的环境问题会到150℃；又比如试验设计采用的测试标准是JESD22-A108,那么你测试的温度可能又是125℃，150℃，175℃。具体的问题要求跟进器件的设计，或者自己公司的自主测试设计要求来即可。目前主流的测试标准分别由美军标准、国家标准、JEDEC、IEC、AEC，以及用户自主设计标准。
热成像显示2. 反向电压
测试中，HTRB的电压是反向添加的电压，其电压是由其器件的额定耐压来确定的，按照其耐压的80%作为反向电压，给到器件，同时配合高温，侦测漏电流的情况。从而判断其器件的可靠性是否稳定。
HTRB测试设备3. 测试时长
测试时长一般来说以168小时、500小时、1000小时的居多，但是有的测试时长很短，或者更长，这个根据实际用户的测试需求来定，严格一些，例如车规，军工类，其测试的环境和测试时长会更多，这样筛选出来的芯片或者器件的可靠性会更高。
测试设置以上三点即为目前主流功率器件所采用的高温反偏试验，通过高温以及长时间的测试来观测其功率器件的漏电流是否稳定，从而更好的判断芯片的可靠性。这种严格的测试对其老化板，老化测试座，提出了更高温更耐久的测试要求。
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