掩模版又称光掩模、Mask、光罩，是光刻工艺中所使用的图形母版，通过光照可将设计好的电路图形投射到光刻胶上，再通过曝光、显影等工序，将电路图形刻在晶圆上，是光刻工艺中不可或缺的原材料。

一项新的光刻工艺能否量产，除了技术指标本身能否满足要求，更重要的是要考虑工艺成本，能否为芯片生产带来足够的经济效益，毕竟芯片造价的30%-40%来自光刻部分。

光刻工艺成本包括光刻设备、掩模版、光刻材料及与工艺相关的测量。SEMATECH提出了一个光刻工艺成本模型，这其中Ce为每年光刻机和匀胶/显影机的成本（包括折旧费、设备维护费和安装调试费）；Cl是技术人员的薪酬，Cf是光刻机每年占用的净化间成本；Cc是光刻耗材的成本；Cr是光刻胶的单价；Qrw是每片晶圆消耗的光刻胶用量；Nc是一年中旋涂的晶圆数量；Ng是一年中曝光的晶圆数量；Cm是掩模版的成本；Nwm则是掩模版能曝光的晶圆数量：

掩模版和光刻设备的造价是构成光刻工艺成本的两个主要方面。随着器件尺寸不断微缩，光刻工艺中掩模版的成本占比不断上升。

在小批量中掩模版成本成为光刻工艺成本的最大来源，但在大批量生产中这一成本占比将大幅降低，设备折旧则成为最大的成本来源。因此在光刻工艺中，降低工艺成本的途径，除了提高光刻工艺良率，保证不返工，延长掩模版和光刻机的使用寿命将成为降低成本的重要举措。