哈尔滨工业大学王懿杰教授:GaN基高频谐振功率变换技术

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发布时间: 06-0206:56媒体人,《电气技术》杂志社有限公司,科技领域爱好者

王懿杰,IEEE Senior Member,哈尔滨工业大学教授、博士生导师,2005年、2007年与2012年于哈尔滨工业大学获得学士、硕士和博士学位。从事照明电子、无线电能传输技术、高频以及超高频功率变换技术研究。

共发表SCI/EI检索文章150余篇,授权发明专利16项,受理25项。曾获中国电源学会第21、22届学术年会优秀论文奖,IEEE ICEMS 2019会议最优论文奖,IEEE ITEC Asia-Pacific 2017会议最优论文奖,IEEE ITEC Asia-Pacific 2018会议最优论文奖、IEEE ICEMS 2018会议最优论文奖、IEEE Transactions on Power Electronics 2018 Prize Paper Award、IEEE Transactions on Industry Applications 2018 Prize Paper Award、PCIM Asia 2015会议Young Engineer Award提名奖。

获得国家自然科学基金优秀青年科学基金资助,黑龙江省优秀青年基金资助,入选哈尔滨市青年后备人才计划,哈工大青年拔尖人才选聘计划以及哈工大基础研究杰出人才III类。

担任SCI期刊IEEE TIE、IEEE JESTPE、IEEE Access、IET PEL、JPE副主编;曾担任SCI期刊IEEE TIE客座主编、IEEE JESTPE客座副主编以及中文核心期刊“电力电子技术”特邀主编;担任中国电源学会理事、照明电源专业委员会副主任委员、器件专业委员会委员、青年工作委员会委员,中国电工技术学会电力电子学会理事。

电力电子领域:由于材料特性的差异,SiC适用于高于1200V的高电压大功率应用场合,而GaN器件更适用于40-1200V的高频应用,GaN在600V/3KW以下的应用场合更占优势,在微型逆变器、伺服器、马达驱动、UPS等领域与传统的MOSFET或IGBT展开竞争,让电源产品更为轻薄、高效。

射频领域:与目前在RF领域占统治地位的LDMOS器件相比,采用0.25微米工艺的GaN器件频率可高达其4倍,带宽可增加20%,功率密度可达8W/mm3(LDMOS为1~2W/mm3),且无故障工作时间可达100万小时,更耐用,综合性能优势明显,5G的商用无疑会推动GaN在射频市场的快速发展。

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