IC Insights：DRAM 产能过剩警报响起，中国厂商带来变数

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IC Insights今(3)日发布《The McClean Report》9月更新指出，从历史的角度来看，DRAM平均售价与市场成长将很快趋于下行，供应商应谨慎因应，并随时准备调整资本支出扩张计划。

IC Insights 最新《The McClean Report》9 月更新显示，在过去两年中，DRAM 制造商一直在以接近满载状态运行记忆体晶圆厂，这导致DRAM 价格稳步上升，并为供应商带来可观的利润。

IC Insights指出DRAM产业去年资本支出跳增81%，今年持续攀升40%，在此状况下，预料未来供给将淹没市场，为价格趋缓的先期指标之一。

不过与以往不稍有不同的是，这次资本支出成长幅度虽然高，但预期产能过剩风险可能不像以往严重，因为目前各大厂升级20 纳米制程的成本增加许多，意谓着同样的资本投入所换得的产能将比前几代制程少。

每月DRAM 平均售价增长趋势。(图：IC Insights)

上图可见，虽然2018年8月DRAM的平均销售价格(ASP)达到6.79 美元，相较于2年前增长165%。尽管今年价格增速放缓，但8月前仍保持稳健上行的趋势。

DRAM 市场以周期性而闻名，在经历了两年的强劲增长之后，DRAM 平均售价和市场需求很快将开始向下趋势。

IC Insights 分析，最近供应商资本支出增加虽然非比寻常，但可能不会像过去一样产生类似的产能过剩情况。

DRAM 资本支出与平均售价比较图。(图：IC Insights)

该报告预测(上图)，2018年DRAM平均售价将上涨38％至6.65 美元，但随着额外产能上线，供应限制开始放缓，将会降温DRAM市场成长。

该报告中特别提到，由于预期客户需求疲软，三星和SK 海力士于第3 季推迟部分扩张计划。值得注意的是，中国大陆有合肥长鑫(Innotron Memory)、福建晋华（JHICC）等两家记忆体厂预料今年加入供给，将为记忆体市场带来不可知的变数。在合肥长鑫方面，兆易创新与合肥产投签署合作协议，开展工艺制程19nm的12英寸DRAM的研发工作，该项目预算约为180亿人民币，已正式投片，有券商预计其将在2018年底实现产品良率不低于10%。来到福建晋华，他们与联电开展技术合作，投资56.5亿美元，正在建设12存DRAM生产线。晋华集成电路已纳入中国“十三五”集成电路重大生产力布局规划。

DRAM价格可望持稳？

全球DRAM龙头三星电子高层透露，明年DRAM需求仍会持续强势，反驳市调机构及法人预估明年DRAM价格崩跌，凸显三星顾及集团利益，仍无意让DRAM崩跌。

DRAM价格持续走强数季后，近期价格松动，现货价走软，市场预测，第4季价格将会下跌，甚至预估明年跌势加大。

不过，三星电子设备解决方案部门总裁金奇南（Kim Ki-nam）稍早接受韩国联合通讯社采访时表示，今年底前DRAM 芯片需求不会发生重大变化，似乎对今年DRAM今年价格持稳深具信心。

至于DRAM连续数季抢货的情况是否会在明年止步，金奇南则强调明年DRAM需求仍持续强劲，也暗示对明年DRAM产业持续成长，给予正面解读。

近期多家外资机构相继发表对记忆体产业降评的报告，不过，多数认为主因是储存型快闪记忆体（NAND Flash）供给大增、需求意外疲弱。

至于DRAM供需方面，估计三星、SK海力士明年供给增加，增幅达二位数，将为市场带来压力。外资相继调降美光目标价，台系DRAM族群包括南亚科（2408）、华邦电和旺宏等股价也同步下跌。

不过，稍早三星已宣布将原订本季增加的DRAM新产能延至年底，隐约看到需求端偏向观望之际，决定在DRAM增速踩煞车。三星高层此刻释出对明年DRAM市况正面看待讯息，也反应三星仍不乐见明年DRAM价格崩跌。

国际半导体产业协会（SEMI）日前在台北国际半导体展（Semicon Taiwan）也表示，明年DRAM产业虽未如今年强劲成长，但仍维持个位数增幅，对DRAM成长维持正面评价。