金融界2024年12月23日消息，国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“存储块及其制造方法”的专利，公开号CN 119156015 A，申请日期为2023年6月。

专利摘要显示，本申请提供一种存储块及其制造方法。存储块包括：衬底；存储阵列，设置在衬底上，且包括沿高度方向层叠的漏区半导体层、沟道半导体层和源区半导体层；每层漏区半导体层、沟道半导体层及源区半导体层分别包括沿行方向分布的多条漏区半导体条、沟道半导体条及源区半导体条；每条漏区半导体条、沟道半导体条和源区半导体条分别沿列方向延伸；其中，一列漏区半导体条、沟道半导体条和源区半导体条称为一列半导体条状结构；阱引出区域，包括多个阱连接结构，每列半导体条状结构分别延伸至阱引出区域，且在阱引出区域包括阶梯状结构，每个阱连接结构分别对应一列半导体条状结构，并藉由其中的阶梯状结构将各沟道半导体条电连接在一起。

本文源自：金融界

作者：情报员