金融界2024年11月6日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件和半导体器件的制造方法”的专利，公开号CN 118900567 A，申请日期为2024年4月。

专利摘要显示，本公开涉及半导体器件和半导体器件的制造方法。半导体器件可以包括：包括与多个第一绝缘层交替堆叠的多个第一导电层的第一栅极结构；包括与多个第二绝缘层交替堆叠的多个第二导电层的第二栅极结构；包括与多个第三绝缘层交替堆叠的第三导电层的第三栅极结构；以及穿过第三栅极结构和第二栅极结构延伸到第一栅极结构中的第一接触插塞，第一接触插塞连接到多个第一导电层中的第一第一导电层，并且第一接触插塞包括位于第二栅极结构与第三栅极结构之间的界面处的第一拐点部分。

本文源自：金融界

作者：情报员