陈南翔：中国半导体3至5年内将实现爆发式增长，为克服美国技术限制开辟道路
观察者网2024-07-23 16:23
【文/观察者网 阮佳琪】
7月23日，港媒《南华早报》关注到，中国半导体行业协会理事长陈南翔近日受访时，谈到中国半导体行业发展的相关问题。他认为，中国芯片工业尚未实现爆炸式增长，但这一天终将到来。
他预测称，在摩尔定律不再奏效的同时，中国将受益于新的封装技术。凭借在应用和封装技术方面的优势，中国的芯片产业将在3至5年内实现“爆炸式增长”，为中国克服美国的技术限制指开辟道路。
陈南翔对话CGTN。视频截图
据《南华早报》报道，陈南翔同时是中国最大闪存芯片制造商长江存储的董事长、代理CEO，当天他主要以中国半导体行业协会理事长的身份接受访问。
谈到对中国半导体行业成长的看法时，他分析称，现在半导体行业火热，一方面是因为中国产业确实做得好，另一方面又赶上AI发展的大好时期，再加上半导体产业站在了地缘政治博弈的科技最前沿。
“的确，如果我回到40年前，我从来没想到中国半导体产业有今天。但是在过去的20年，我们已经能够清楚地看到，实际上中国一定会有今天这样的发展。而且眼下的还不是最好的，最好的正在来的路上。”
陈南翔进一步解释道，中国的半导体产业发展就像孕育一个新技术一样，起先会是一个很长的潜伏期，慢慢地开始对市场进行尝试，最后爆发式发展。“我们现在还没进入到中国半导体产业的爆发增长期，但相信再有三到五年的时间，我们会看到这一天。”
据陈南翔介绍，在发展芯片产业上，中国正在探索一种新的市场驱动型产业模式，摒弃过去依赖高校和科研院所的旧模式。
他回忆道，过去在发展集成电路的过程中，中国走了很长一段时间的“弯路”。本质上，中国想要发展的是一种芯片产业，但过去这件事交给大学、研究院和科学院，最终获得的是一种更具学术性的成果。
陈南翔强调，这是两种完全不同的路径，中国现在需要的是一种产业，需要创新的产业、服务和商业模式，最终转变为经济的商业价值。“我认为，在花了很长一段时间的摸索之后，无论是从政策的主导者，还是产业利益的相关方，终于明白了。”
“不能说我们已经找到了产业发展的最佳模式，但起码，我们已经知道了什么样的模式是注定要失败的。在长时间试错后，现在我们可以相信，在未来集成电路产业的发展中，一定正孕育着一个巨大的成功模式。”陈南翔补充道，“大家拭目以待。”
当谈及中国芯片产业能否追赶上西方时，陈南翔提到，和过去业内依赖于“摩尔定律”不同，封装技术正受到越来越多的重视，“可以预测，在未来非常近的一天，封装技术的重要性恐怕都要超过晶圆制造技术的重要性。”
在陈南翔看来，对于中国而言，这种技术态势的转变是一种“巨大利好”。他认为，虽然美国正试图剥夺中国获得先进芯片和代工技术的机会，但封装技术会是中国实现“弯道超车”的机会。
他举例称，三星正在做的3纳米芯片，和英特尔要做的3纳米芯片是不一样的，它们有着各自的定义。但过去摩尔定律还有效、业内存在共识时，大家都知道3年后或6年后的技术节点会是什么。
“突然有一天，这个叫摩尔定律的赛道突然没了。既然技术路径依赖没有了，那我们来走另外一种新的发展模式——应用驱动。我们中国的市场和消费者会在应用上有许多创新，我们中国的机会恰恰在这里头”，陈南翔说。
中国芯片产业发展正面临全国人民的期待。陈南翔也坦言，对业界的关心增加了半导体行业的曝光度，增加了行业对人才的吸引力，同时一些极个别网民言论也给行业产生了很大的压力。
他希望，公众能够理性、耐心地看待国内半导体行业发展，“我们希望，这个产业不是跑100米短跑，而是像一个马拉松，走长期主义才能把这个产业真正做好。（希望大家）给予一定时间，让产业认认真真地把自己的基础做好，把自己的实力构造出来，这才是真正中国半导体产业所需要的。”
《南华早报》指出，美国对中国顶尖科技公司和半导体代工厂的一系列无理制裁，正促使中国业界人士建立更紧密的联系，在政府支持下，团结一致寻求前进的道路。在去年10月当选为中国半导体行业协会理事长后，陈南翔呼吁业界同舟共济，携手应对来自美国的科技制裁。
同年，在上海举行的SEMICON China 2023大会上，陈南翔当时以长江存储董事长的身份发表演讲称，一些国家出于地缘政治考量，已经破坏了芯片半导体产业链的全球化体系，现在行业面临巨大的不确定性，“再全球化”正在发生。
他直言，芯片产业链将进入“动荡且无序”的时刻。不仅冲击现有的全球供应链产业分工，甚至给产业发展模式带来重大影响。
陈南翔当时还提议，如果中国企业依法合规买到的设备不能交货或者无法使用，厂家应该设定一个时间回购设备，“我想做个呼吁，去建设你们的诚信，体现于你们的公平原则。就长江存储来讲，依法合规买回来的设备连零件也拿不到。如果是公平的话，应该会设一个时间，把设备在新的条件下回购，这样才公平。”
值得一提的是，近日有美媒爆料称，长江存储再度在美国加州北区对美光提起诉讼，指控这家美国公司侵犯了其11项专利，涉及3D NAND的各个方面。长江存储请求法院下令，要求美光停止在美国销售其闪存，并向其支付专利使用费。
长江存储表示，美光的96层（B27A）、128层（B37R）、176层（B47R）和232层（B58R）3D NAND存储器以及美光的部分DDR5 SDRAM产品（Y2BM系列）侵犯了其在美国提交的11项专利或专利申请，它们涵盖了3D NAND和DRAM功能的基本方面。
2022年底，美国商务部根据所谓的“证据”，以威胁其国家安全为由，将长江存储列入了实体清单，使其不能从美国获得128层及以上的3D NAND的晶圆制造设备和技术。
这次起诉，并非长江存储在美国的第一次“反击”。2023年11月，长江存储在美国加州北区地方法院，对美光及子公司美光消费类产品事业部提起诉讼，指控美光侵犯8项与3D NAND Flash相关的美国专利。
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