4月2日，据《科技日报》记者从华中科技大学获悉，该校与湖北九峰山实验室组成联合研究团队，突破“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”技术。

据介绍，这一具有自主知识产权的光刻胶体系已在生产线上完成了初步工艺验证，并同步完成了各项技术指标的检测优化，实现了从技术开发到成果转化全链条打通。该研究成果有望为光刻制造的共性难题提供明确的方向，同时为极紫外线光刻机光刻胶的着力开发做技术储备，对推动国产光刻胶的技术进步意义重大。

光刻胶是半导体制造不可或缺的材料。光刻是利用光学、化学、物理方法，将设计好的电路图转移到晶圆等表面，是光电信息产业链中核心环节。光刻胶是对光敏感的混合液体，主要是由树脂、光引发剂、溶剂、单体等组成，是光刻工艺中最核心耗材，其性能决定着光刻质量，也是影响集成电路电性、成品率及可靠性的关键因素。

在半导体领域，根据曝光波长以及应用制程不同，目前市场上应用较多的光刻胶可分为g线、i线、KrF、ArF和EUV5种类型。

其中G/I线、KrF光刻胶均为成熟制程用光刻胶，G/I线光刻胶主要用于高压汞灯光源光刻工艺，对应工艺制程为350nm及以上；KrF光刻胶主要用于KrF激光光源光刻工艺，对应工艺制程250-150nm；ArF光刻胶主要用于DUV光刻工艺，可用于130-14nm芯片工艺制程，其中干法主要用于130-65nm工艺，浸没式主要用于65-14nm工艺。

目前国内“卡脖子”环节主要集中在KrF和ArF等高端光刻胶领域，KrF光刻胶当前国产化率不足5%，而ArF光刻胶国产化率更是不足1%。在半导体制程不断进步的背景下，高端光刻胶需求增加，未来KrF、ArF光刻胶将成为国内外厂商主要竞争市场。

那么在KrF、ArF、EUV等中高端光刻胶领域，我国哪些公司已经取得技术突破？各公司产能规划如何？除了光刻胶外，掩膜版、硅片、电子特气、CPM抛光材料、湿电子化学品以及靶材等半导体材料目前国产化率如何？哪些环节未来增量空间更大？核心受益公司又有哪些？我们梳理了半导体材料产业最新投资逻辑，整理了核心受益方向和代表公司，制作了专题《半导体材料：国产替代加速》，有需要的小伙伴，欢迎免费索取。