由于翻译问题，也叫密勒效应。在MOSFET的开关电路中，根据课本上学习的MOSFET原理，给N沟道MOSFET的栅极（G）加一个栅源电压VGS大于开启电压Vth，MOSFET就会导通，当VDS<VGS-Vth，就进入可变电阻区，也就是“开”的状态。当VGS<Vth时，MOSFET的沟道会消失处于关断状态，也就是“关”的状态。但，事实上MOSFET开启不是简单这样的过程，会发现VDS下降会有一个时间，VGS爬升也会有一个时间，甚至有一个平台期，VGS不怎么变化。跟控制信号波形不一样。
VGS实测波形发现这个现象，最初是美国科学家罗伯特·米勒（Robert Miller）发现的，所以以他的名字进行了命名。MOSFET中的米勒效应，主要产生的原因是MOSFET的寄生电容。
在MOSFET的规格书里面会看到三个电容，分别是：
输入电容Ciss = Cgd + Cgs
输出电容Coss = Cgd + Cds
反向传输电容Crss = Cgd
MOSFET规格书截图通过规格书可以看到，Cgs=Ciss-Cgd远大于Cgd
MOSFET的寄生电容及等效电路如上图图可知，由于MOSFET的结构会带来很多寄生电容，Cgd和Cds都有标注在那个地方，而Cgs没有看见它的身影。Cgs电容为：
Cp是栅极和p型体之间的电容：它受栅极、漏电压和沟道长度影响。Cp是Cgs组成中唯一受漏电压(Vds)的变化影响的部分。当Vds增大时,耗尽区会扩大至p型体并使Cp的值减小。因为耗尽区不超过p型体的10%。因此,因Vds而导致的Cgs变化极小。
Cgd它受栅极和漏极的电压影响。Vds有变化时,Cgd下的区域(n--遇到栅极氧化物的漂移区)会发生变化,并且电容值会受到影响。
Cds厚度的变化而变化,该厚度为p型体和n-漂移区的结点厚度,随Vds而变化。
对于MOSFET的米勒效应，网上有很多分析，很多过程，其实来源于美信半导体的一篇应用文档，都没有怎么讲清楚开启过程中的一些问题点，都是含糊不清的一笔带过。我接下来的文章我尽量把这个过程讲清楚。
美信半导体对MOSFET开启过程分析文档截图MOSFET的米勒效应是好还是坏呢？在我看来，好坏要看应用场景，比如用到开关电源，MOSFET在频繁的开关，米勒效应会影响开关速度，再就是Vds的下降时间变长会导致损耗变大，发热变严重。但是如果运用在开机电路中，MOSFET只开一次，前面说的问题就没有那么重要，反而还可以依靠米勒效应来调整电源上升时间，从而降低inrush current（浪涌电流）。
