（报告出品方/作者：方正证券，佘凌星、钟琳、刘嘉元）

1 过程控制：量测、检测是半导体制造良率的重要保障

过程控制：半导体晶圆制造过程中不同工艺之后，往往需要进行尺寸测量、缺陷 检测等，用于工艺控制、良率管理，要求快速、准确。尺寸测量、缺陷检测等应 用于每道制程工艺之后。IC 量测设备用于工艺控制、良率管理，检测要求快速、 准确、非破坏。IC 量测在发展过程中，在尺寸微缩、复杂 3D、新型材料方面面临 各类技术难点，面对诸如存储、CIS、化合物半导体等不同半导体检测等多种需求 不断升级。IC 量测设备的技术类别包括探针显微镜、扫描/透射电镜、光学显微 镜、椭偏/散射仪等，技术发展方向包括延续现有的非破坏测量技术，电镜方面推 进并行电子束技术，散射仪向 EUV、X 射线延伸以缩小波长，并联合多种测量手 段和机器学习实现混合测量等。

过程控制设备包括应用于工艺过程中的测量类设备（Metrology）和缺陷（含颗粒） 检查类设备（Inspection）。芯片生产过程中，在线工艺检测设备要对经过不同 工艺后的晶圆进行无损的定量测量和检查，从而保证工艺的关键物理参数（如薄 膜厚度、线宽、沟/孔深度、侧壁角等）满足要求，同时发现可能出现的缺陷并对 其进行分类，剔除不合格的晶圆，避免后续工艺浪费。工艺检测设备的另一个作 用是协助工艺开发和试生产时优化设备运行参数和光掩模的设计，优化整个工艺 流程，缩短开发时间，提升成品率并实现量产。

半导体量测 Metrology 主要包括： 1）套刻对准的偏差测量； 2）薄膜材料的厚度测量； 3）晶圆在光刻胶曝光显影后、刻蚀后和 CMP 工艺后的关键尺寸（CD）测量； 4）其他：如晶圆厚度，弯曲翘曲（Bow/Warp），1D/2D 应力 stress，晶圆形貌， 四点探针测电阻 RS，XPS 测注入含量等，AFM（原子力显微镜）/Metal plus（超 声波）测台阶高度（Step Height）等。

半导体检测 Inspection 主要包括： 1）无图形缺陷检测，包括颗粒（particle）、残留物（residue）、刮伤（scratch）、 警惕原生凹坑（COP）等； 2）有图像缺陷检测，包括断线（break）、线边缺陷（bite）、桥接（bridge）、 线形变化（Deformation）等； 3）掩模版缺陷检测，包括颗粒等； 4）缺陷复检，针对检测扫出的缺陷（位置，大小，种类），用光学显微镜或扫描 电镜确认其存在。

中道检测面向先进封装环节，主要是芯片倒装（Flip-Chip）、圆片级封装（Wafer -Level Package）和硅通孔（Through Silicon Via， TSV）等先进工艺要求对 凸点（Bump）、通孔（TSV）、铜柱（Copper- Pillar）等的缺损/异物残留及其 形状、间距、高度的一致性，以及再布线层（Redisriburion Layer，RDL）进行 无接触定量检查和测量。后道测试则主要是利用电学对芯片进行功能和电参数测 试，主要包括晶圆测试和成品测试两个环节。

根据制造过程中采用的不同材料和结构，工艺检测设备分别采用包括宽波段光谱 （紫外到红外）、电子束、激光和 X 射线等多种不同技术。性能指标方面，随着 工艺不断向细微线宽发展，器件形态结构也由二维平面结构向三维结构转变，因 此对检测设备的灵敏度、可适用性、稳定性及吞吐量等都有更高要求。

应用光学检测技术的设备可以相对较好的实现有高精度和高速度的均衡，并能够 满足其他技术所不能实现的功能，如三维形貌测量、光刻套刻测量和多层膜厚测 量等应用，因此采用占多数。根据 VLSI Research 和 QY Research，2020 年全球 半导体检测和量测设备市场中，光学检测技术、电子束检测技术及 X 光量测技术 的设备市场份额占比分别为 75.2%、18.7%及 2.2%。

1.1 量测

套刻精度测量设备：用于测量层与层之间的套刻误差，也就是两层图形结构中心 的平面距离，主要测量系统有 3 种，光学显微成像（IBO）系统、光学衍射（DBO） 系统和扫描电镜（SEM-OL）系统。光学显微成像系统最常用，通过成像的方式计 算套刻误差；光学衍射系统采用非成像的方式，通过光强传感器测量衍射射束强 度确定套刻误差，使用的光学元件较少，常用于先进的光刻工艺控制中；扫描电 镜系统主要用于刻蚀后的最终套刻误差测量，测量速度较慢。 套刻精度测量的对象是套刻目标图形，这些图形通常制作在划片槽区域，用于成 像套刻测量系统的目标图形通常有（a）块中块、（b）条中条和（c）目标（AIM） 图形。

常见的光学套刻设备是 KLA 的 Archer 系列和 ASML 的 YieldStar 系列，Archer 系 列使用 IBO 和 DBO 测量技术，可测量多种套刻目标图形；YieldStar 使用 DBO 测 量技术；Hitachi 的 CD-SEM CV 系列使用高压加速扫描电子显微镜（SEM-OL）。

薄膜厚度测量：晶圆在进行多次各种材质的薄膜沉积后，需要对薄膜厚度和其他 参数性质进行准确判断，以确保产品满足性能设计要求。测量薄膜厚度的方法很 多，传统的方法主要是通过台阶仪直接测量，但是这种方法对薄膜本身破坏较大， 同时测量结果受仪器精度的影响较大，因此精确测量成本较高。目前应用较普遍 的方法主要有非光学方法和光学方法两大类，非光学方法只能用于薄膜厚度的测 量，主要包括四探针法、涡流法、电容法、电磁等，其中四探针法和涡流法为较 多应用的方法；利用光学原理测量薄膜厚度的方法主要有棱镜耦合导模法、光切 法、多光束干涉法、分光光度测量法、椭圆偏振法等。其中椭圆偏振法应用最为 广泛，并且能同时测量薄膜的光学参数。

四探针法（4PP）是指用四个等距的金属探针接触薄膜材料表面，外围两探针通直 流电流，中间两根探针接电位差计测量电压降，基于所测的电压和电流得出具体 位置的电阻，薄膜厚度由薄膜材料电阻率除以所得电阻得到，一般通过软件计算 得出。涡流法（EC）是指通过线圈的时变电流在导电层中产生时变的涡流。这些 时变的涡流反过来产生一个磁场，改变驱动线圈的阻抗，该阻抗与薄膜材料的电 阻成反比，同样通过换算可以得出薄膜厚度参数。

椭圆偏振法基本原理为：将一束椭圆偏振光按照一定的入射角照射到样品上，已 知入射光的偏振态，可根据偏振态的改变来确定薄膜材料的具体结构，得到其厚 度和光学参数信息（如复折射率、厚度或复介电常数等）。

目前非光学测量薄膜膜厚产品主要有科磊的 Filmetrics R50 系列，光学测量薄 膜膜厚产品主要有包括科磊的 Aleris 系列和 SpectraFilm 系列。国内光学测量 薄膜膜厚产品有上海精测的 EFILM 系列。

关键尺寸测量设备：主要用于芯片生产过程中的关键尺寸（CD）、高度、侧壁角 的在线测量和关键设备（光刻机、涂胶显影设备等）的性能监控。其中关键尺寸 测量主要用于显影后检查（ADI：After Development Inspection）和刻蚀后检查 （AEI：After Etch Inspection）。目前主要依靠光学散射仪的非成像式测量技 术，光学散射仪又称为光学关键尺寸测量仪（OCD），其原理是通过测量样品的散 射信息，求解逆散射问题来重构待测样品的三维形貌。

OCD 测量的基本流程主要包括正问题和反问题两个重要步骤，正问题是通过一定 的散射测量装置获得待测样品结构的散射信息，需要解决的是仪器测量问题，反 问题是需要从测量得到的散射数据中提取待测样品的三维形貌参数，需要解决的 是构建光与待测样品结构间相互作用的正向散射模型并选择合适的求解算法。 测量仪器：目前主要使用的光学散射装置可以分为角分辨散射仪和光谱散射仪。 角分辨散射仪的优点在于由于采用单一波长，在数据分析时不需要对样品材料的 介电函数进行假设；此外可以相对容易扩展到较短的波长范围，如 EUV 和 X 射线。 其劣势在于其中包含移动组件，限制了测量速度。光谱散射仪的优势在于测量速 度非常快，目前常用的一种基于光谱椭偏仪（SE）的散射仪，其可以达到很高的 垂直分辨率，相对于角分辨散射仪，可以获得更多的测量信息。其劣势在于，为 了精确测量，尤其是在椭偏散射测量中，需要精确的校准，并需要预先确定样品 材料在较宽光谱范围内的光学常数。实际使用中，为了提高测量灵敏度，通常将 两种散射测量方式相结合。

构建正向散射模型并选择求解算法：在光学散射测量中，从散射测量数据中提取 出待测样品三维形貌参数的本质上是逆散射问题的求解过程。目前主要有两种求 解方法，分别是库匹配法和非线性回归法。库匹配的参数提取过程中，是事先建 立散射仿真数据库，然后将测量数据跟仿真数据比较，得到最佳匹配测试数据的 仿真数据所对应的待测参数值。非线性回归法是不断调整输入参数，使得测量数 据与正向散射模型计算出来的仿真数据差异降至允许范围内。库匹配法的优势在 于可以快速提取待测参数，但是需要事先建立并存储庞大的仿真数据库，且准确 度受数据库网格间距的限制。非线性回归法的优势是不需要建立仿真数据库，且 可以得到比较准确的结果，但是由于每次迭代都要调用正向散射模型来计算仿真 数据，因此非常耗时。

除了 OCD 之外，原子力显微镜（AFM）和扫描电镜（SEM）也是微纳米线间距尺寸 测量类仪器应用最广泛的两类。二者所获得图像的横向分辨力相近。AFM 得到被 测产品表面的形貌结构图像，是真正的三维图像，并能测量样品的三维信息。SEM 只能提供二维图像，但其图像有很大的景深，视野较大。关键尺寸扫描电子显微 镜（CD-SEM）是具有自动定位并测量线条功能的扫描电镜，广泛用于半导体产线 线宽的监控。

扫描电子显微镜是利用材料表面特征的差异，在电子束作用下通过试样不同区域 产生不同的亮度差异，从而获得具有一定衬度的图像。成像信号是二次电子、背 散射电子或吸收电子，其中二次电子是最主要的成像信号。高能电子束轰击样品 表面，激发出样品表面的各种物理信号，再利用不同的信号探测器接受物理信号 转换成图像信息。

算法：CD-SEM 获得测量图形的影像后．CD-SEM 进行测量并将数据上传。CD-SEM 在测量算法上需要不断优化和提高，以使测量结果真实准确反映样品的性能。例 如，推出新的测量方式，包括边缘粗糙度（Edge Roughness）、间隙（Gap）、扭 曲度（Wiggling）、叠对（Overlay）、图形重心（Center Gravity）等，此外还 需要不断提高测量可靠性，以及对产品工艺波动的敏感度。

1.2 检测

图形晶圆缺陷检测：光学图形晶圆缺陷检测设备是通过高精度光学检测技术，对 晶圆上的缺陷和污染进行检测和识别，向晶圆厂提供不同生产节点中晶圆的产品 质量问题，并确认工艺设备的运行情况是否正常，从而提高良率，节约成本。光 学检测技术是通过从深紫外到可见光波段的宽光谱照明或者深紫外单波长高功 率的激光照明，以高分辨率大成像视野的光学明场或暗场的成像方法，获取晶圆 表面电路的图案图像，实时地进行电路图案的对准、降噪和分析，以及缺陷的识 别和分类，实现晶圆表面图形缺陷的捕捉。

光学图形晶圆缺陷检测设备分为明场和暗场两大类别，两者的主要区别是：明场 设备是收集晶圆表面垂直反射的光信号来分析缺陷，而暗场设备是收集晶圆表面 散射回来的光信号来分析。如果晶圆表面是平整没有缺陷的，则明场设备反射回 来的光是相对比较完整的入射光，而暗场设备的入射光则被全反射,其接收到的 是散射光信号。 随着设备行业不断发展，明场与暗场的定义也在变化，现在明场一般指的照明光 路和采集光路在临近晶圆段共用同一个显微物镜，而暗场指照明光路和采集光路 在物理空间上是完全分离的。因为垂直反射和散射光信号的差别，明场设备的检 测灵敏度比暗场设备的高，但明场设备扫描速度也较慢。

明场光学图形圆片缺陷检测设备发展趋势：更亮的光源照明、更宽的光谱范围、 更高的呈现分辨率、更大数值孔径、更大成像视野等。传统光源以氙灯或汞放电 灯，到目前的激光持续放电灯。光源波长范围为 180~650nm，光学系统以透镜为 主，为了在宽光谱波长范围中达到更好的光学分辨率，会加入多层反射镜片降低 色差。针对不同类型的晶圆，明场光学图形晶圆缺陷检测可以使用不同的配置， 即不同光学参数和系统参数的组合，当前的设备的配置数量超过一万种。 当前市场上的主流设备是 KLA 的 39xx 系列、29xx 系列和应用材料的 UVision 系 列。

暗场光学图形圆片缺陷检测设备发展趋势：更好的噪声控制、更高的成像分辨率、 更高的检测扫描速度等，光源以激光光源为主，发光波长为 193nm、266nm、355nm 等，波长越短，成像分辨率越高。 当前市场上的主流设备是 KLA 的 Puma 系列和日立（Hitachi High-Tech）的 DI 系列。

缺陷检测的常用算法就是将每个芯片的图像与前/后若干芯片的图像进行比较， 找到图像的不同，得到可能的缺陷图像。此外还有一种方式是将每个芯片的图像 和实现取得的黄金芯片（Golden Die）的图像对比，找到图像的不同。明场和暗 场光学图形晶圆缺陷检测过程及检测算法类似。

电子束图形晶圆缺陷检测设备。随着半导体技术进步和先进工艺对缺陷容忍度降 低，与普通光学明场和暗场晶圆缺陷检测设备相比，电子束图形晶圆缺陷检测设 备对图形的物理缺陷（颗粒、突起、桥接、空穴等）具有更高的分辨率，以及特 有的通过电压衬度检测隐藏缺陷的能力。由于具有可以通过电压衬度成像检测到 光学显微镜下不可见的缺陷等优势，逐步发挥越来越大的作用，成为光学检测设 备的有力补充。 电子束图形晶圆缺陷检测设备是一种利用扫描电子显微镜在前道工序中对集成 电路晶圆上的刻蚀图形直接进行缺陷检测的工艺检测设备。其核心是扫描电子显 微镜，通过聚焦电子束对晶圆表面进行扫描，接受反射回来的二次电子和背散射 电子，将其转换成对应的晶圆表面形貌的灰度图像。通过比对晶圆上不同芯片同 一位置的图像，或者通过图像和芯片设计图形的直接比对，可以找出刻蚀或设计 上的缺陷。其性能强调具有更高的扫描和图像采集速率、更大的扫描场、高速的 样品运动定位能力以及在低入射电压下的图像质量。 与光学缺陷检测设备相比，虽然电子束检测设备在性能上占优，但因逐点扫描的 方式导致其检测速度太慢，不能满足晶圆厂对吞吐能力的需求，无法大规模替代 光学设备承担在线检测任务，目前主要用于先进工艺的开发，工作模式主要为抽 样检测。 当前市场上的主流供应商是 ASML（收购汉民微测科技）和应用材料。

无图形晶圆缺陷检测设备：其作用是检测裸晶圆缺陷，为后续图形化检测打下基 础。无图形晶圆表面检测系统能够检测的缺陷类型包括颗粒污染、凹坑、水印、 划伤、浅坑、外延堆垛、CMP 突起、晶坑、滑移线等，应用领域主要有三类： （1）芯片制造：主要包括来料品质检测、工艺控制、晶圆背面污染检测、设备洁 净度监测等； （2）硅片制造：主要包括工艺研发中的缺陷检测、硅片出厂前的终检流程； （3）半导体设备制造：主要包括工艺研发中的缺陷检测、设备的工艺品质评估 （颗粒、金属污染）等。 检测过程：无图形晶圆缺陷检测设备能够实现无图形晶圆表面的缺陷计数、识别 缺陷的类型和空间分布。通过将单波长光束照明到晶圆表面，利用大采集角度的 光学系统，收集在高速移动中的晶圆表面上存在的缺陷散射光信号。通过多维度 的光学模式和多通道的信号采集，实时识别晶圆表面缺陷、判别缺陷的种类，并 报告缺陷的位置。

暗场无图形检测：光学缺陷检测中，暗场散射技术通常用于晶圆等精密元件的表 面缺陷检测，具有非接触、非破坏、灵敏度高以及检测速度快等诸多优点。同时， 相比于明场检测，暗场检测检测速度更快，更适用于高频的三维形貌，并能检测 远小于系统分辨率和光学尺寸的缺陷，因此尤其适用于无图形晶圆缺陷检测。

最小灵敏度和吞吐量是关键指标。最小灵敏度表示设备能够检测到晶圆表面最小 颗粒缺陷的直径，该指标的数值越小，表明设备能够检测到晶圆表面更小尺寸的 缺陷；吞吐量表示该设备单位时间内完成检测的晶圆数量，该指标的数值越大， 表明设备的检测速度越快。

全球无图形晶圆检测设备长期由 KLA 和日立主导。KLA 的无图形晶圆缺陷检测设 备 Surfscan 具备 DUV 灵敏度和高产能的无图案晶圆表面检测系统，可以检测裸 晶圆、平滑和粗糙膜以及精细的光阻和光刻涂层中独特的缺陷类型；HITACHI 的 LS 系列通过暗场检测从缺陷散射的光，同时抑制晶片表面的背景噪声，实现 了高灵敏度，被广泛用于控制 10 纳米级半导体制造中的污染，以及交付和来 料晶圆质量控制。国产厂家中科飞测的无图形晶圆检测设备 S1 性能已达到国际 先进水平，未来有望实现无图形缺陷检测设备的国产替代。

2 量测检测持续升级，是前道设备主赛道之一

2024 年全球晶圆厂设备开支有望恢复至 970 亿美金。根据 SEMI 最新全球半导体 设备预测报告，2023 年全球半导体设备销售市场规模预计将从 2022 年创新高的 1074 亿美金同比下降 18.6％至 874 亿美金，随后在 2024 年恢复至 1000 亿美元 以上的市场规模。2023 年市场规模的下降主要是芯片需求疲软及消费及移动终端 产品库存增加。2024 年市场需求的回暖主要得益于半导体库存修正结束以及高性 能计算（HPC）和汽车领域半导体需求增长。

前道设备仍是行业主要反弹驱动力。分设备所处环节来看，2023 年晶圆厂设备市 场规模将同比下降 18.8%至 764 亿美金，同时也将是 2024 年总体设备市场重返 1000 亿美金最主要的推动力，预计届时晶圆厂设备市场规模达到 878 亿美金。后 道设备市场方面，由于宏观经济环境面临挑战，同时半导体行业整体需求疲软， 2023 年半导体测试设备市场预计同比下降 15%至 64 亿美金（2024 年预计同比增 长 7.9%），封装设备预计同比下降 20.5%至 46 亿美金（2024 年预计同比增长 16.4%）。 先进制程设备需求较稳定，存储用设备市场波动剧烈。在晶圆制造设备中，分应 用领域来看，2023 年代工和逻辑厂所用设备市场预计同比下降 6%至 501 亿美金， 仍然是半导体设备行业占比最高的应用领域，2023 年先进制程设备需求维持平 稳，成熟节点的设备需求略有下降，预计 2024 年这一领域的投资规模将增长 3%。 由于消费和企业市场需求同时疲软，2023 年 DRAM 设备市场预计收缩 28.8%至 88 亿美金，但随着市场逐步修复，SEMI 预计 2024 年这一市场将增长 31%至 116 亿 美金。2023 年 NAND 设备市场预计将大幅收缩 51%至 84 亿美金，同时 2024 年亦 将同比强势增长 59%至 133 亿美金。

中国大陆引领 2024 年全球半导体设备市场。分地域来看，中国大陆、中国台湾 省、韩国主导全球设备市场。其中 SEMI 预计中国大陆将在 2024 年引领全球市场 规模，同时我们也看到近年来中国大陆在全球半导体设备市场份额呈上升趋势， 大陆设备市场重要性日益提升。

半导体设备行业呈现明显的周期性，受下游厂商资本开支节奏变化较为明显。 2017 年，存储厂商的大幅资本开支推动半导体设备迎来巨大需求，且这一势头一 直延续到 2018 年上半年。但随后产能过剩致使存储价格走低，导致 DRAM 和 NAND厂商纷纷推迟设备订单。存储产能过剩一直持续到 2019 年上半年，同时上半年 整体半导体行业景气度不佳，虽然下半年随着行业景气度恢复，以台积电为代表 的晶圆厂陆续调高资本开支大幅扩产，2019 年全年半导体设备需求同比仍回落约 2%。2020 年全球各地先后受疫情影响，但存储行业资本支出修复、先进制程投资 叠加数字化、5G 带来的下游各领域强劲需求，全年设备市场同比增长 19%。伴随 半导体厂商新一轮资本开支开启，2021 年全球设备市场继续大幅增长 44%。当前 海外设备龙头应用材料、泛林集团等均预计 2022 年全球设备市场规模将进一步 增长。

过程控制全球半导体设备总市场占比约 10.5%，持续有升级需求。2021 年全球过 程控制设备市场空间约 104 亿美元，其中光刻相关（套刻误差量测、掩膜板测量 及检测等）相关需求约 28 亿美元、缺陷检测需求约 58 亿美元、膜厚测量需求约 17 亿美元。过程控制市场中在全球半导体设备总市场（包括晶圆制造和封装测试 设备）占比约 10.5%，相对稳定，随着制程微缩、3D 堆叠推进，晶圆制造对于量 测、检测需求不断增加，精度要求也不断提高，过程控制设备持续有升级需求。

根据 VLSI Research，2020 年全球半导体检测和量测设备市场规模总计 76.5 亿 美金，其中检测设备占比 62.6%，包括无图形晶圆缺陷检测设备、图形晶圆缺陷 检测设备、掩膜版检测设备等；量测设备占比 33.5%，包括三维形貌量测设备、 薄膜膜厚量测设备、套刻精度量测设备、关键尺寸量测设备、掩膜版量测设备等。

全球过程控制市场主要由海外龙头 KLA 主导。全球过程控制主要赛道由海外厂商 主导并垄断，KLA 在大多细分领域具有明显优势，此外 AMAT、Hitachi、Onto、 ASML 也有所布局。国内公司精测电子、睿励科学仪器、中科飞测、东方晶源、赛 腾股份等主要布局。

海外厂商主导国内市场，国产替代空间广阔。中国半导体检测与量测设备市场国 产化率低，海外龙头主导国内市场，科磊在国内市场份额超过 50%，且得益于中 国市场规模近年来高速增长，根据 VLSI，科磊在中国大陆市场 2016-2020 年 5 年 的营收 CAGR 超过 35.7%，显著高于其在全球约 13.2%的复合增速。

3 KLA：全球量测检测龙头企业

检测/测量设备收入龙头：KLA-Tencor 成立于 1976 年，是全球过程控制业界龙 头，产品包括晶圆缺陷检测、刻蚀光罩检测、其他检测、服务等。 KLA FY2023 营收创新高，综合毛利率达 60%。公司 FY2023（截至 June 30, 2023） 营收 104.96 亿美金，同比增长 13.9%，综合毛利率 60%。单 Q4 营收 23.55 亿美 金，毛利率 61.2%，均位于指引中值附近。公司指引 FY2024Q1 收入 22.25-24.75 亿美金，中值 23.5 亿美金，同比减少 12.96%，环比减少 2.08%，单季度毛利率 60%-62%，中值环比略降。公司下游需求依旧强劲，逻辑代工厂多个制程节点持续 广泛投资驱动需求增长，存储方面，尽管有部分客户投资有放缓的迹象，其他多 个行业的需求多样化仍然强劲。

分业务来看，晶圆检测业务方面，公司 FY23Q4 收入同比下降 14%，环比下降 7%。 电子、包装和零部件业务领域，公司单季营收 0.65 美金，同比下降 64%，环比下 降 6%。服务业务 FY23Q4 营收超过 5 亿美金，同比增长 5%。 收入业务结构：KLA 本财年 89%半导体工艺控制及相关服务收入，6%特种半 导体工艺业务、5.2% PCB 及显示器及元件检测等业务。 收入产品结构：KLA 本财年晶圆检测系统占比 41%，图案制作包括光罩检测 占比 27%，特种半导体工艺占比 5%，PCB 及显示器和元件检测收入占比 4%， 服务营收占比 20%。 收入区域结构：KLA 本财年下游客户中国大陆 29%、中国台湾 24%、日本 9%、 韩国 18%、北美 12%、欧洲 7%。 行业及公司业绩展望：KLA 还投资于晶圆和光网基础设施投资，公司表示这些投 资对其收入表现有所贡献，预计 2023 年公司相对行业表现仍然强劲。公司看好 长期商业环境趋于稳定，并推动半导体行业长期需求和 WFE 的投资，以及跨多个 技术节点的半导体含量增长。

产品线持续迭代，形成较强产品阵列。科磊关键产品：Gen 5（3900 系列）有图 形晶圆检测；Archer 套刻误差检测；Teron 掩膜版测量（EUV） ；Puma 有图形晶 圆检测（DRAM/Nand）、Surfcan 无图形晶圆检测（DUV/EUV）等。

KLA 在 2022 年 6 月 16 日投资者日上披露了 2026 年新的长期收入增长目标和财 务模型。以及公司对于半导体行业年复合增长率 6%-7%的假设，2021 年到 2026 年，KLA 收入符合增速目标为 9%-11%，主要来源于公司市场份额的提升。

4 精测电子、睿励科学仪器、中科飞测等公司布局量测检测赛道

精测电子增资加速布局，聚焦半导体前道测试设备。上海精测成立于 2018 年 7 月，主要布局半导体前道测试，以椭圆偏振技术为核心开发了适用于半导体 工业级应用的膜厚测量以及光学关键尺寸测量系统。上海精测半导体技术有限 公司常务副总经理马骏，原任天马微电子助理总经理。在 2019 年 9 月增资 5.5 亿的公告计划中，马骏认缴出资额 2500 万元，与上海精测高度绑定。2020 年 12 月底，公司定增再次增资上海精测，增资完成后，上海精测注册资本将 由 7.5 亿元增加至 13.7 亿元。 精测电子全面布局膜厚及 OCD 检测、SEM 检测等技术方向。公司产品规划路径清 晰，技术覆盖面齐全。在膜厚方面，上海精测已经推出了膜厚检测设备、OCD 检 测设备等多款半导体测量设备。技术演进路径从膜厚检测的 EFILM 200UF 到 EFILM 300IM，再到 EFILM 300SS/DS，再到 OCD 测量的 EPROFILE 300FD，功能更 加丰富，精密度逐渐提高。在电子光学 SEM 检测方向，公司已于 2020 年底交付 首台电子束检测设备、2021 年交付首台 OCD 设备。目前公司膜厚产品（含独立式 膜厚设备）、电子束量测设备已进入入广州粤芯、长江存储、中芯国际等知名半 导体厂商，并取得国内一线客户的批量订单，2021 年公司半导体业务营收 1.36 亿元。

首款半导体电子束检测设备 2020 年底正式交付。随集成电路工艺节点推进，光 学缺陷检测设备已无法满足大规模生产和先进制程开发需求。上海精测从自主研 发的电子束检测设备 eViewTM 全自动晶圆缺陷复查设备，采用了扫描电子显微镜 技术，具有超高分辨率，可用于 10x nm 及以下集成电路 制程的工艺缺陷自动检 测。此外，设备搭载可自主开发的基于深度神经网络的 AI 算法，提升缺陷分类 准确度；运用全新超低压 EDSX 射线探测技术，实现轻量元素高分辨率解析。这 一设备也是国内首台拥有完全自主知识产权的半导体前道检测设备。

2021 年，公司出货国内首台 OCD 设备。2021 年 7 月 13 日，公司首台 12 寸独立 式光学线宽测量设备（OCD）与国内唯一 12 寸全自动电子束晶圆缺陷复查设备 （Review SEM）顺利出机。12 寸独立式光学线宽测量机台(OCD)是该类型的国内 首台机台，主要用于 45nm 以下、特别是 28nm 平面 CMOS 工艺的量测，并可以延 伸支持上述先进工艺节点的快速线宽测量。EPROFILE 300FD 测量系统拥有完全自 主知识产权，包括宽谱全穆勒椭偏测头、对焦对位系统、系统软件等核心零部件 均为自主研发，是真正意义上的高端国产化机台。 持续拓展产品品类，半导体在手订单饱满。2022 年 7 月，精测 OCD 设备 EPROFILE 300FD 再次通过关键客户 28nm 工艺验证，顺利进入量产产线并全面投入使用。根 据公司 2023 年半年报，目前上海精测膜厚系列产品、OCD 设备、电子束设备已取 得国内多家客户的批量订单；半导体硅片应力测量设备也取得客户重复订单；明 场光学缺陷检测设备已完成首台套交付，且已取得更先进制程订单；有图形暗场 缺陷检测设备等其余储备的产品目前正处于研发、认证以及拓展的过程中。公司 核心产品已覆盖 2xnm 及以上制程，先进制程的膜厚产品、OCD 设备以及电子束缺 陷复查设备已取得头部客户订单。截至 2023 年中报披露日，精测电子在手订单 金额总计约 31.3 亿元，其中半导体领域订单约 13.65 亿元。

睿励科学仪器成立于 2005 年，专注于半导体量测检测设备。睿励的主营产品为 光学膜厚测量设备和光学缺陷检测设备，以及硅片厚度及翘曲测量设备等。睿励 自主研发的 12 英寸光学测量设备 TFX3000 系列产品，已应用在 65/55/40/28 纳 米芯片生产线并在进行了 14 纳米工艺验证，在 3D 存储芯片产线支持 64 层 3DNAND 芯片的生产，并正在验证 96 层 3DNAND 芯片的测量性能。2021 年 3 月，睿励获得 中微公司 1 亿元投资，其他股东包括浦东科创、张江科投、国家大基金、上海创 投、上海国盛等一众知名产业投资机构。 2021 年 4 月 18 日，睿励首台自主研发的高精度光学缺陷检测设备（WSD200）装 箱出货，交付国内知名客户，这是睿励研发的光学缺陷检测设备进入集成电路晶 圆缺陷检测市场的重大突破。 2021 年 6 月，公司自主研发的第三代光学膜厚测量设备 TFX4000i 交付设备。相 对于早已实现批量生产的 TFX3000P，TFX4000i 延续使用了与 TFX3000P 相同的主框架及软件架构，最大程度保持了二代产品的优良测量性能和可靠性，同时 TFX4000i 新增加了反射测量模块和深紫外测量模块，具有更宽的光谱范围，涵盖 了更广泛的工艺段应用，可以满足更先进的工艺要求。

2022 年 7 月，睿励完成新一轮增资 1.6 亿元，本轮融资将主要用于光学膜厚量测 设备和缺陷检测设备的产品迭代研发及新产品研发和生产投入。目前公司的膜厚 测量、缺陷检测及光学关键尺寸测量等设备已被国内近 20 家前道半导体晶圆制 造客户采用。12 英寸膜厚量测设备 TFX4000 系列和应用于明暗场的 12 英寸高精 度光学缺陷检测设备 WSD 系列在相继交付国内重要客户后，快速通过验证并已取 得多台重复销售订单。 中科飞测是国内领先的高端半导体质量控制设备厂商，公司成立于 2014 年 12 月， 公司自成立以来始终专注于检测和量测两大类集成电路专用设备的研发、生产和 销售，产品主要包括无图形晶圆缺陷检测设备系列、图形晶圆缺陷检测设备系列、 三维形貌量测设备系列、薄膜膜厚量测设备系列等。公司拥有独立的研发、采购、 生产和销售体系，产品已广泛应用在中芯国际、长江存储、士兰集科、长电科技、 华天科技、通富微电等国内主流集成电路制造产线，打破在质量控制设备领域国 际设备厂商对国内市场的长期垄断局面。 自主研发针对生产质量控制的世界领先的光学检测技术。公司最具代表的产品和 服务有：三维形貌量测系统，表面缺陷检测系统，智能视觉缺陷检测系统，3C 电 子行业精密加工玻璃手机外壳检测系统，公司产品已经获得国内多家顶尖先进封 装厂商的设备验收及批量订单，填补了国内集成电路先进封装检测设备在高端市 场的空白。

营收高速增长。中科飞测 2022 年营业收入 5.09 亿元，同比增长 41.2%，分产品 来看，2022 年公司检测设备营收 3.85 亿元，同比增长 45.3%。量测设备收入 1.18 亿元，同比增长 25.5%。2023H1 公司实现营收 3.65 亿元，同比增长 202.25%，下 游市场需求强劲，公司持续自主创新，研发出能够对标进口产品性能的设备，持 续提高公司的竞争力，积累了越来越多优质的国内客户。2022 年中科飞测实现归母净利润 1,174.35 万元，同比下降 78.02%。2023H1 公司实现归母净利润为 4,593.91 万元，同比增长 242.88%。

中科飞测目前产品主要包括无图形晶圆缺陷检测设备系列、图形晶圆缺陷检测设 备系列、三维形貌量测设备系列。公司检测设备代表客户包括中芯国际、士兰集 科、长电科技、华天科技等，量测设备主要客户有长江存储、长电科技、华天科 技、蓝思科技等。2022 年公司检测设备共销售 82 台，量测设备销售 56 台。

大力研发投入，算法、软件重要性凸显。中科飞测 2022 年研发费用 2.1 亿元， 同比增长 116.8%，占营收比重 40.5%。公司始终重视研发，截至 2023H1，公司研 发人员数量 334 人，占员工总数比重 43.0%。光学检测技术未来重要发展趋势之 一就是大数据检测算法和软件重要性凸显，晶圆检测和量测的算法专业性很强， 设备对于检测速度和精度要求非常高，且目前市场上没有可以直接使用的软件， 业内企业均在自己的检测和量测设备上自行研制开发算法和软件，因此与工艺设 备相比，过程控制行业对软件人才要求也更多。

IPO 募集资金主要用于扩产及研发。公司 IPO 拟募集 10 亿元，用于高端半导体质 量控制设备产业化项目、研发中心升级建设项目和补充流动资金。高端半导体质 量控制设备产业化项目将将大幅提高公司检测和量测设备的产能，并逐步实现新 产品的产业化，满足下游客户需求，提升市场竞争力。研发中心升级建设项目主 要是引进优秀技术人才，将重点针对无图形晶圆缺陷检测设备、纳米图形晶圆缺陷检测设备等相关方向展开深入研发，进一步提升公司创新能力。

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精选报告来源：【未来智库】。