在半导体行业有一个的效应叫做MOS管米勒效应(moscone miller effect)。
MOS管的原理是,当电流从集电极通过时,在P型区中产生电子空穴对;而在N型区内产生正离子和负离子的复合体。由于N型区的浓度高于P型区,所以正离子浓度大于负离子浓度。这样就会形成电压降。
当MOS管两端的电压差增大到一定值时(一般称为阈值),则会出现击穿现象——即两端之间出现高电势的直流电弧。
如果将一个MOS管的两个电极接在一起,那么它就是一个单向导通的二极管了:
这个单向导电的二极管相当于一个电容和一个电阻的组合——它的特性与电容类似:
因此可以认为它是介于普通二极管用电器与普通三极管用电器之间的器件。
但是需要注意的是,虽然它具有单向导电的特性(因为其内部没有PN结),但是它并不具备放大作用(因为它不具备电流分配的作用)。
不过对于一些特殊用途来说,比如高频信号处理、开关电路等应用场合而言的话。
例如:
1、在微波功率放大器中:
微波功率放大器是一种把电能转换为电磁能的装置。通常由发射机、接收机和天线组成。其中发射机是将电能转化为磁能或光能的设备;而接收机则是将电磁能转变为声能和热能的设备;天线就是连接两者并实现能量转换的中继器。
2、在一些特殊的电路中:
例如在模拟电路中使用双极性晶体三极管作为开关元件的时候。