集微网消息，8月25日，伏达半导体宣布推出首款针对车载市场的高功率无线充电参考设计-- NVTREF8040Q，基于伏达在手机无线充电领域的多年积累，这款无线充电发射端方案集高集成度、高效率与高功率三位于一体，应用于车载前装市场。随着NVTREF8040Q的推出，将为客户提供效率更高、充电更自由、更安全的无线充电解决方案。

此次发布的参考设计NVTREF8040Q中，搭载了伏达新一代车载无线充芯片NU8040Q，打破了国外公司在车载无线充行业的垄断地位。

伏达这次发布的车载50W无线充参考设计NVTREF8040Q的效率高达77%，达到了国内最高水准。在硬件层面，除了智能全桥芯片NU8040的低内阻之外，伏达半导体还优化了MOS管的死区时间。在软件层面，通过充电逻辑和控制策略的优化，进一步提升充电效率。

软件平台方面，伏达半导体采用分层结构，将底层软件和应用层软件分离抽象，底层软件用来适配不同的MCU平台，应用层软件实现无线充功能，在不同的MCU平台上可实现复用，可以大大缩减平台更换的研发时间。依托于高集成度的智能全桥，大大减少了对MCU的资源要求，解除了无线充电应用与特定MCU平台的强绑定。同时，软件平台支持经过GUI界面调试Demo板，通过图形界面来配置线圈种类、线圈数量、私有协议类型、常见MCU平台、功率等级等，让客户能够随心适配。

此外，针对无线充电领域的Q值检测难点，伏达团队创造性设计了一个硬件检测电路，可以将Q值检测的敏感度提升30%以上，具体提升值依赖于不同的异物、手机等检测客体，最高时可以提升87%。在提升敏感度之外，该电路设计也使Q值检测结果的一致性大大提升。针对该技术，伏达已申请专利。

电路集成方面，伏达的无线充电发射端芯片集成了无线充电应用中的所有重要功能：高效率全桥、低EMI的FET驱动、无损电流检测、高精度Q值检测、数字解调模块等，让客户极致缩小方案体积，降低电路设计复杂度，大大缩减研发周期。

伏达半导体表示，此次方案设计旨在为客户提供安全、高效的高功率无线充解决方案。结合伏达的软件平台，可以实现MCU自由化、线圈自由化、调试自由化三大优势。目前伏达已经与国内多个车载客户展开合作，随着国内车载无线充市场的发展，伏达的车载无线充产品将会持续为客户带来更多价值，实现车载无线随处充的愿景。(校对/Andy)