SSD所用的NAND闪存是从SLC开始慢慢发展到MLC、TLC再到QLC,未来还会有PLC,每一次技术升级都会NAND闪存每个核心单元可以保持的电荷位数增加一位,QLC就是每单元可以存储4位数据。QLC相比SLC来说每单元可以存多4倍的数据、是MLC的两倍、比TLC多50%,它有更高的存储密度,从而降低每GB存储空间的成本,这也是闪存厂家一直在追求的。
当然了代价就是写入性能与耐久度的下降,不过这些都会随着技术的进步这些都是可以改善的,当年大家都在喷TLC怎么怎么垃圾,而现在还不是真香?
Intel最近推出的670p系列SSD就是这样一款用QLC闪存的产品,其实Intel是非常看重QLC闪存的,当年的660p系列就是首批采用QLC闪存的SSD,现在的670p系列已经是他们家的第三代QLC SSD了。
根据Intel的宣传,这款670p SSD性能较上代有非常大的提升,而且相当注重低队列深度的性能,因为日常大部分应用都在QD1-3的范围内的,基本不会超过QD4,而目前大部分SSD厂家在宣传时只会标识产品的最大IOPS,然而这最大IOPS基本上只能在高队列深度情况下跑出来,日常基本上跑不到那种队列深度,其实连续读写也会有这种状况。
那么这款Intel 670p的性能到底怎么样呢?可以来看看我们的视频评测:
Intel SSD 670p采用PCI-E 3.0 x4,有512GB、1TB和2TB三个容量,它采用Intel第四代3D NAND,是144层堆叠的3D QLC,存储密度较上代提升了50%,耐久度也有所提升。
与之前的660p和665p相比,新的670p换了新的主控和闪存,性能有了很大的提升,而且针对低队列深度和混合读写进行了调整,可满足常见应用常见的存储需求,包括办公和主流游戏。耐久度也是稳步提升,和660p相比670p的写寿命增长了85%,与665p相比则增长了23%。
我们对比了两款主流级的TLC SSD,从两个PCMark的得分还算传输率来看,Intel 670p的性能表现都是要强于那些常见的主流级TLC SSD,而且PCMark10还会给出SSD的平均存储时间,从结果来看670p的相应速度相当低。
670p 1TB的SLC缓存大概有140GB,有缓存时写入速度是相当之快的,缓存用光后写入速度也有200MB/s以上,虽然说和TLC的SSD相比这缓外速度确实有点低,但和660p相比已经翻了一倍了,速度超过了HDD,而且日常使用基本上很少可能会直接把这么大的SLC缓存用光,基本上都是维持在有缓存内的高速区间内。
总结
从性能测试结果来看,Intel 670p的性能其实是要优于那些主流级TLC SSD的,经过优化的算法让它在低队列深度时的性能表现也非常出色,实际应用负载也多集中在QD1到4的低队列深度为主,这些从PCMark的成绩就能看得出来。用QLC闪存的670p在传输速度和响应速度都很优秀,但缺点也不是没有,就是SLC缓存用光后速度掉得有点厉害,不过嘛,我们手头上这个1TB的有140GB的动态缓存,想要一次用光还是蛮有难度的,对于大多数人来说也就刚开始用的时候导入数据时可能会碰到,平日使用时是基本用不完的。670p和目前主流SSD售价基本相近,在同价位产品里面性能表现还是相当出色的,我们比较推荐选购1TB以上的容量,因为有更好的性能和更大的缓存容量。